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CARBORUNDUM GRANA 120 . CONF.1KG
— cod. 1737
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Il carborundum, o carburo di silicio, è una sostanza cristallina seconda per durezza solo al diamante (9 o più nella scala di Mohs), di formula SiC. Carborundum è il nome d'uso dato alla sostanza dal marchio di fabbrica inglese Carborundum, che per primo lo ha commercializzato. Viene preparato industrialmente in forno elettrico, riscaldando a temperature di circa 2000 °C una miscela di sabbia quarzosa e coke granulato, con aggiunta di segatura e di sale, rispettivamente nelle percentuali di 54.2, 34.2, 9.9 e 1.7%. Ulteriormente riscaldato, il carborundum comincia a decomporsi in grafite e silicio.

Il carborundum industriale si presenta in masse granulose di colore bruno; la sua struttura cristallina è simile a quella del diamante. Questa analogia strutturale ne spiega l'elevata durezza e l'inalterabilità fino a temperature superiori a 2000 °C. Il carborundum viene utilizzato come materiale abrasivo e refrattario nel rivestimento di forni e piastre o per affilare coltelli e lame. Poiché ha buona conducibilità termica, viene anche impiegato come elemento riscaldante di forni ad alta temperatura.

Attualmente il Carburo di Silicio (SiC) trova ampia applicazione nell'industria dei semiconduttori grazie alle sue caratteristiche elettriche, che lo contraddistinguono dal Silicio per le potenziali applicazioni nei dispositivi ad alta potenza, alta frequenza, e alte temperature. Il limite attuale alla sua diffusione deriva dalla qualità del materiale di partenza, o meglio dei substrati che vengono lavorati per arrivare al dispositivo finale. Per la tecnologia dei dispositivi a semiconduttore basati sul Silicio sono disponibili substrati, i cosiddetti wafer, dal diametro superiore ai 12" (30,48cm), di elevata purezza e ottima qualità cristallografica con densità di difetti oramai trascurabili. Per il SiC invece sono disponibili wafer dal diametro non superiore ai 4" (10cm), la densità dei difetti (in gergo tecnico "micropipe, stacking fault, dislocation, ...) è ancora troppo elevata per rendere i dispositivi ricavabili abbastanza affidabili e duraturi nel tempo. Tra l'altro il costo dei substrati influisce per più del 50% sul costo finale di un qualsiasi dispositivo al SiC, mentre per il silicio tale costo pesa per meno del 5%! I substrati di Carburo di Silicio sono ottenuti mediante crescita per sublimazione o mediante HTCVD (High Temperature Chemical Vapour Deposition). Gli strati epitassiali vengono depositati mediante CVD in reattori a parete calda. I dispositivi attualmente commercializzati sono i diodi Schottky, ma vi èun'ampia sperimentazione nel mondo scientifico per la messa a punto dei vari MOSFET, JFET, BJT, sensori di vario tipo, e altri ancora.

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